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北京欧倍尔告诉你几个等离子体增强化学气象沉积的实验发表于2017-04-12 14:13 来源: 欧倍尔 所属分类:行业知识百科

1.微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜实验

化学气相沉积是使几种气体(多数场合为2种)在高温下发生热化学反应而生成固体的反应.由于等离子体具有高能量密度、高活性离子浓度、从而引发在常规化学反应中不能或难以实现的物理变化和化学变化,等离子体CVD是通过能量激励将工作物质激发到等离子体态从而引发化学反应生成固体,具有沉积温度低、能耗低、无污染等优点,因此等离子体化学气相沉积法得到了广泛的应用。

2.石英玻璃等离子化学气相沉积法制备

石英玻璃等离子化学气相沉积法制备是以高频等离子体作为热源,用化学气相沉积法合成高纯石英玻璃的实验装置。液滴生长凝聚动力学的分析表明,等离子体化学气相沉积过程中的颗粒沉积过程分为三个阶段:化学反应阶段,成核阶段,粘附沉积阶段。合成的石英玻璃光谱性能优越,羟基低,紫外透过率高,波长在188~3200nm之间的光透过率均在84%以上。能够满足高技术领域对宽波段光透过材料的需求。

离子体化学气相沉积法 等离子体化学气相沉积法

3.低温等离子体增强化学气相沉积技术制备碳纳米管

由于等离子体在低温下具有高活性的特点,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围。通常条件下,高质量碳纳米管的生长要求800℃以上的基片温度,若能使该温度降到400℃以下,则对许多应用非常有利,如可以在玻璃基片上沉积碳纳米管场发射电极。目前,碳纳米管基纳电子器件的研制这一课题备受关注,如果能实现低温原位制备碳纳米管,则可能将纳电子器件与传统的微电子加工工艺结合并实现超大容量的超大规模集成电路。

离子体化学气相沉积法

4.等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响

氮化硅薄膜是一种物理、化学性能十分优良的介质膜,具有高的致密性、高的介电常数、良好的绝缘性能和优异的抗Na+能力等,因此广泛应用于集成电路的最后保护膜、耐磨抗蚀涂层、表面钝化、层间绝缘、介质电容等。氮化硅膜已用于制作新功能、多功能、高可靠性的器件,等离子表面处理,其特性在很大程度上依赖于薄膜的制作条件。等离子增强化学气相沉积(简称PECVD)具有沉积温度低( < 400 ℃) 、沉积膜针孔密度小、均匀性好、台阶覆盖性好等优点。PECVD氮化硅薄膜技术已在半导体器件、集成电路的研制、芯片的钝化膜和多层布线间介质膜制作中得到广泛应用,并发展成为大规模和超大规模集成电路(LSI和VLSI)工艺的重要组成分。随沉积生长条件的不同,薄膜特性差别很大,有必要对氮化硅膜的性质与沉积条件进行全面的研究。

5.等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作。采用1/ 4 波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD 的沉积速率进行了测量。在此基础上,制作了1. 31μm InGaAsP 氧化膜条形结构超辐射发光二极管,通过测定输出光谱调制系数的方法确定出减反射膜的反射率为6. 8 ×10 - 4 ,并且具有很好的可重复性。

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